第九百七十章 最长两三年的时间！ （2 / 2）
要看书1kanshu.net
“实验室不使用光刻机并不能说碳基芯片的生产就绕过了光刻机。实验室环境做的芯片，可以借助仪器进行电路刻蚀，是不用借助光刻机的。”
“但是这只是理论研究的方法，没办法批量生产。”
“而按照当前芯片制造的模式来看，所有大规模量产的芯片，都是通过光刻的方式，将电路图刻到硅片上面去的，本身只是材料的不同。”
“其模式、流程其实还是一致的，都需要进行电路刻蚀。而电路刻蚀大规模批量生产，是无法绕过光刻机的。”
“所以目前中芯国际那边加工碳基芯片，依旧是采用的类似硅基芯片的方法来处理的。”
停顿了一下，他的目光落在手中捏着的碳基芯片上，接着说道。
“当然，您所期待的绕过光刻机，通过其他方法雕刻碳基芯片晶体管的技术我们也正在组织人力物力进行研发。”
“比如电弧放电法、激光烧蚀法，化学气相沉积法等方法来制备碳基芯片。”
“但目前来说这些技术还远远比不上传统的光刻技术成熟，且在制备出来的芯片进程上要更大。”
“比如之前我们尝试过使用电弧放电法和激光烧蚀法来制备碳基芯片，两者能做到的芯片进程一个在微米级，另一个虽然达到了纳米级，但也超过了五百纳米。”
“要想绕开光刻机这一关键技术去加工雕刻碳基芯片，目前来说几乎不可能，很难很难。”
简单的解释了一下，赵光贵的目光落在手中的芯片上。
事实上，想要绕开光刻机去制备碳基芯片的，又何止是眼前这位一个。
其他的不说，华威海思、中芯国际，甚至联发科，台积电，英特尔等等的半导体晶圆代工厂都想找到一条绕开光刻机加工芯片的道路。
这段时间他负责和华威海思、中芯国际等团队的人配合生产研究碳基芯片的时候，也向那些专业的芯片研发人员咨询过这个问题。
这条路不是那么容易走的。
人类在半导体的发展上走了几十年，才最终确定了硅基芯片这条路。
其原因在于硅的成本效益高、化学稳定性好、半导体属性优秀、加工技术成熟等等原因。
尤其是半导体属性优秀，是其中非常关键的一点。
硅是一种天然的半导体材料，它在纯净形态下电阻大，在添加少量杂质（掺杂）后，可以控制其电导性，从而有效地在导电与绝缘之间切换，这是制造芯片时不可或缺的属性。
相对比硅来说，其他的材料在这方面都有着自己的缺陷。
比如人类最早使用的锗基芯片。
锗是最早用于晶体管的材料，但由于其在地壳中的含量较低，导致成本较高，且稳定性不如硅，因此逐渐被硅取代。
还有现在他们研发的碳基芯片。
虽然说碳基材料虽然具有一些优势，如更高的运行速度和更低的功耗，但其热导率较低，加工难度大且成本高，这些问题都极大限制了碳基芯片的广泛应用。
尤其是掺杂电路控制和大规模的排列碳纳米管或石墨烯片，都是碳基芯片生产过程中的巨大难题。
相对比之下，硅材料的优势要大很多很多了。
虽然说高纯度的单晶硅、光刻胶等等都是难题，但它最大的难题还是光刻机。
只有顶尖的光刻机，才能制备出更低纳米的硅基芯片。
毫不夸张的说，在目前人类所研究过的芯片制备技术中，硅基芯片是最简单的一条。
而即便是其中最简单一条，也是耗费了几乎整个西方利益集团+几十年的时间才逐渐一点一点的完善起来的。
本小章还未完，请点击下一页继续阅读后面精彩内容！
想要弯道超车，绕开光刻机直接雕刻加工芯片，谈何容易。
可以说你能想到过的道路，那些芯片领域的研发人员几乎全都想到过并且曾经尝试过。
......
虽然说光刻机目前依旧是拦在碳基芯片面前的一道难题，但赵光贵并没有太过担忧。
他笑了笑，接着说道：“虽然说光刻机的问题很大，但目前来说我们并不需要太过担忧。”
“国内研究光刻机的厂商还是有的，比如魔都那边的魔都微电子公司，他们已经有了成熟的光刻机制备体系。并且研发出90纳米、110纳米、280纳米以及55纳米四大系列的国产光刻机。”
“而目前正在推进的28纳米光刻机也即将成熟。”
“而对于碳基芯片来说，碳基晶体管在物理属性上的优越性足够在一定程度上弥补我们在制程工艺上的不足。”
“理论上来说，只要我们能够将每平方毫米的碳基晶体管数量提升到三千万颗，它所爆发出来的性能，就足以媲美现在世面上的中高端芯片。”
“这也是我们接下来的重点研究方向。”
徐川点了点头，问道：“那距离这个目标，我们大概还需要多长的时间？”
听到这个问题，赵光贵仔细地思忖了一会儿，用相对保守的态度回答道：“按照目前的情况来看，最长一年之内，我们就应该能做出具备商业价值的碳基芯片了。”
“当然，我说的这个商业价值指的是至少能够媲美目前市面上的中高端硅基芯片的程度。”
“嗯......”
思索了一下，赵光贵补充道：“如果是以英特尔的酷睿系列来做对比，一年后我们至少能够生产出性能达到酷睿10代级别的碳基芯片。”
“虽然说这距离酷睿最新的14代芯片还有一些差距，但以碳基芯片的发展速度，相信顶多只需要两三年的时间，我们就能追平甚至超过对方！”
......